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[发明专利]制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法-CN201710686567.2有效
发明人：李华高;雷仁方;廖乃镘;杨修伟;郭培 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法先在工艺片上制作出黑硅，然后通过低温工艺在黑硅表面制作出钝化层；本发明的有益技术效果是：提出了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法可以在低温条件下使黑硅表面钝化，从而避免高温工艺所存在的各种问题，有效提高黑硅的品质。
制作表面钝化方法

[发明专利]黑硅、制备工艺及基于黑硅的MEMS器件制备方法-CN201710871041.1有效
发明人：毛海央;杨宇东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种黑硅制备工艺，包括：在一衬底上形成聚合物层；去除聚合物层，并利用去除聚合物层过程中的产物在聚合物层的初始位置上形成纳米森林结构；以及在纳米森林结构上沉积硅薄膜材料层，完成黑硅制备。本公开还提供了一种采用上述黑硅制备工艺制备的黑硅及上述基于黑硅的MEMS器件制备方法。本公开黑硅、制备工艺及基于黑硅的MEMS器件制备方法，通过采用工艺成本低、普及度和适应度广泛的黑硅制备工艺制备出光吸收能力更高的黑硅，且采用上述基于黑硅的MEMS器件制备方法避免了黑硅在MEMS器件的释放过程中受到腐蚀破坏
制备工艺基于 mems 器件方法

[发明专利]广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法-CN201110119980.3无效
发明人：黄永光;朱小宁;刘德伟;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
广谱吸收非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构制作方法

[发明专利]一种制作黑硅太阳电池的方法-CN201810218555.1有效
发明人：王英超;徐卓;郎芳;王红芳;刘杰;王平;李锋 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明适用于光伏技术领域，提供了一种制作黑硅太阳电池的方法，该方法包括：对第一次制绒后的黑硅样片进行反射率测试；筛选出反射率在预设反射率范围内的黑硅样片进行凹坑直径测试，所述凹坑直径为第一次制绒后产生的凹坑的直径；筛选出凹坑直径在预设凹坑直径范围内的黑硅样片进行表面钝化，在黑硅样片表面形成钝化层；对钝化后的黑硅样片进行钝化层膜厚测试；筛选出钝化层膜厚在预设钝化层膜厚范围内的黑硅样片制作成黑硅太阳电池。本发明通过测试制绒后的黑硅样片的反射率、制绒产生的凹坑直径，以及钝化层膜厚，检测制绒效果，减少低转换效率的黑硅太阳电池的产生，提高黑硅太阳电池良品率，降低黑硅太阳电池生产成本。
一种制作太阳电池方法

[发明专利]结合离子束表面活化溅射和反应离子刻蚀的黑硅制备工艺-CN201410343579.1在审
发明人：余瑞琴 -专利权人：余瑞琴
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了结合离子束表面活化溅射和反应离子刻蚀的黑硅制备工艺，解决现有的黑硅制备工艺复杂，刻蚀精度不高的问题。包括步骤：（1）将硅片置于真空室中；（2）用低能离子束均匀照射硅片，在硅片表面生成均匀的周期性纳米结构；（3）将在步骤（2）中经过照射后的硅片置于反应离子刻蚀真空室中，生成黑硅。本发明在整个制备黑硅的过程中能够把硅表面纳米结构形貌和黑硅层厚度这两个影响黑硅光反射特性的参数分别控制，进而可以事先设计黑硅表面纳米结构和黑硅层厚度，达到对黑硅结构进行优化以适合任何不同要求的目的；硅表面纳米结构和黑硅层厚度可人为灵活地控制，黑硅层的消耗小，刻蚀精度高，并且工艺过程简单，具有很大的实用价值。
结合离子束表面活化溅射反应离子刻蚀制备工艺

[发明专利]一种基于透明导电层的黑硅太阳能电池及制备方法-CN201110338693.1有效
发明人：陈宏彦;朱亦鸣;彭滟;张冬生;温雅 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种基于透明导电层的黑硅太阳能电池，结构层自下而上依次为：银抗氧化层、铝导电层、P型硅层、黑硅吸收层和ITO透明导电层，其中铝导电层为太阳能电池的正极，ITO透明导电层为太阳能电池的负极。基于透明导电层的黑硅太阳能电池的制备方法：先对对P型硅层清洗；采用直流溅射法在P型硅层的一面制备铝导电层；采用离子束溅射的方法，在铝导电层下方制备银抗氧化层；将制成的样品置于密封腔内，在P型硅层未镀膜的一面用飞秒激光器加工出黑硅吸收层；再将样品置于管式气氛炉中进行退火；最后在黑硅吸收层上方采用离子束溅射方法制备ITO透明导电层。本发明可有效减少黑硅吸收层表面能量转移损耗，大幅提升黑硅太阳能电池的能量转换效率。
一种基于透明导电太阳能电池制备方法

[发明专利]一种黑硅太阳能电池及其制备方法-CN201810001986.2有效
发明人：胡进;蔡赛 -专利权人：东阳市特意新材料科技有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及一种黑硅太阳能电池及其制备方法，所述黑硅太阳能电池的制备方法包括：n型硅片表面黑硅层的制备；黑硅层表面的钝化处理；硼掺杂石墨烯/Spiro‑OMeTAD复合活性层的制备；n型硅片背面ZnO/PEI复合插入层的制备；ITO透明导电层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备。通过制备硼掺杂石墨烯/Spiro‑OMeTAD复合活性层，改善复合活性层与黑硅层之间的半导体接触性能，进而提高黑硅太阳能电池的光电转换效率。
制备黑硅太阳能电池复合活性黑硅层硼掺杂石墨烯光电转换效率背面电极钝化处理接触性能正面电极插入层半导体背面复合

[发明专利]室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法-CN202110272478.X在审
发明人：吴锂;孙剑;陆明;胡斐;戴希远 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-03-13 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体为一种室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及制备方法。本发明的红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、正面黑硅层、硅衬底、背面黑硅层、金属层、N型硅（或P型硅）薄膜、背面电极。本发明利用黑硅在紫外‑近红外波段的减反特性提高探测器近红外光的吸收；利用金属分别与硅衬底（或背面黑硅层）以及N型硅（或P型硅）薄膜形成的肖特基结吸收近红外光并产生光生载流子，并且利用硅衬底（或背面黑硅层）与N型硅（或P型硅）薄膜接触形成的PN结的结区，实现光伏效应的探测，在零偏压下探测近红外光。
室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法

[发明专利]制作黑硅层的方法-CN201611008395.5在审
发明人：杨修伟;袁安波;向鹏飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种制作黑硅层的方法，所述方法的步骤为1）采用反应离子刻蚀机，在SF6和O2氛围下对硅表面进行刻蚀，使硅表面形成绒面；2）采用等离子刻蚀机，在Cl2和O2氛围下对硅表面进行刻蚀，使绒面上的硅表面粗糙度进一步增加，从而获得黑硅层；3）采用稀氢氟酸溶液对硅表面进行清洗，黑硅层制作完成。本发明的有益技术效果是提出了一种制作黑硅层的方法，该方法制作出的黑硅层沟槽深度较大，对反射的抑制效果较好。
制作黑硅层方法

[发明专利]一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法-CN201110263591.8有效
发明人：夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制造技术领域。所述太阳能电池包括金属栅线电极、钝化层、发射极、黑硅层、硅衬底和金属背电极；金属背电极位于硅衬底的背面，发射极位于硅衬底上，黑硅层位于发射极上，钝化层位于黑硅层上，金属栅线电极位于钝化层上。所述制备方法包括：在硅衬底的背面制备金属背电极；在硅衬底表面制备发射极；在发射极上制备黑硅层；在黑硅层上制备钝化层；在钝化层制备金属栅线电极；烧结硅衬底。
一种发射极上黑硅结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种黑硅结构及其制造方法-CN201210344396.2无效
发明人：李世彬;张鹏;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造黑硅结构的方法，包括：获取P型硅衬底；在P型硅衬底上形成黑硅层；在黑硅层中掺入受主杂质，形成掺杂的黑硅层。
一种结构及其制造方法

[发明专利]一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法-CN201410296521.6无效
发明人：李世彬;王健波;余宏萍;张鹏;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法（ICP-RIE）对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底表面上形成黑硅层；在黑硅层表面沉积钝化层本发明的实施例的方法中，采用的是P型重掺杂硅衬底，并且选用ICP-RIE对硅表面进行刻蚀，由于ICP刻蚀选择比高，均匀性好，刻蚀的垂直度和光洁度较高，因此可以获得更好的截面形貌且污染较少。刻蚀之后获得的黑硅材料再通过原子层沉积(ALD)在黑硅层表面沉积一层Al₂O₃钝化层，可以降低反射，减少表面电荷复合率。
一种制造波段吸收材料方法

[发明专利]AZO-黑硅异质结太阳能电池及制备方法-CN201210311075.2有效
发明人：夏洋 -专利权人：夏洋
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本发明的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。
azo 黑硅异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]AZO-黑硅异质结太阳能电池-CN201220432470.1有效
发明人：夏洋 -专利权人：夏洋
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本实用新型的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。
azo 黑硅异质结太阳能电池

[发明专利]黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片及其制作方法-CN202011425411.7有效
发明人：黄建;雷仁方;李睿智;袁安波;吴雪飞;朱继鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅等离激元辅助吸收的热电堆芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上设有支撑层，所述硅衬底的中部设有空气腔，所述支撑层上设有热电偶，所述热电偶的两端各设有一个电极压焊点；所述热端区域覆盖有吸收层；所述吸收层包括黑硅微纳结构和金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒生长在黑硅微纳结构上形成黑硅等离激元，所述黑硅等离激元的表面设有保护钝化层。本发明中，采用黑硅微纳结构和金属等离激元作为热电堆吸收层，吸收率高、吸收光谱范围宽、响应速度快、通用性好；金属等离激元为不连续金属纳米颗粒，提高了光热转化效率，热电堆灵敏度高；材料易于获取，对工艺平台要求低
离激元辅助吸收热电芯片及其制作方法

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